글로벌파운드리, GaN 반도체 생산에 9.5백만 달러 추가 지원받아

글로벌파운드리(GlobalFoundries Inc.)(NASDAQ:GFS)가 버몬트주 에식스 정션 공장에서 실리콘 기반 질화갈륨(GaN) 반도체 생산을 위해 미국 정부로부터 9.5백만 달러의 추가 지원을 받았다고 수요일 발표했다.
이번 지원으로 글로벌파운드리는 자동차, 항공우주, 국방, 데이터센터 등 다양한 산업에서 고성능, 에너지 효율적 애플리케이션에 핵심적인 GaN 칩의 대규모 생산에 한 걸음 더 다가섰다.
GaN 칩 기술은 고전압과 고온 처리에 우수한 성능을 제공해 무선주파수(RF)와 고출력 제어 시스템에 이상적이다.
이번 신규 투자로 글로벌파운드리는 GaN 포트폴리오를 강화하고, 생산 확대와 프로토타입 제작 및 신뢰성 테스트 개선을 위한 도구와 장비를 추가할 예정이다. 회사는 고객들이 GaN의 전력 및 에너지 효율성 이점을 활용한 혁신적인 제품을 더 빠르고 효율적으로 개발할 수 있도록 지원하는 데 주력하고 있다.
글로벌파운드리의 IoT 및 항공우주·국방 부문 니콜라스 서전트(Nich.................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................