ST마이크로일렉트로닉스-이노사이언스, GaN 파워반도체 기술 협력 나선다

ST마이크로일렉트로닉스와 이노사이언스가 차세대 파워 일렉트로닉스의 핵심 부품인 질화갈륨(GaN) 기술 개발 및 생산을 위한 전략적 파트너십을 체결했다.
월요일 발표된 이번 협력은 인공지능(AI) 데이터센터, 신재생에너지 시스템, 전기차 등에 사용되는 GaN 파워 솔루션 강화를 목표로 한다.
GaN 파워 디바이스는 기존 실리콘 기반 제품 대비 높은 효율성과 작은 설치 면적, 낮은 에너지 손실이라는 장점을 제공한다.
이러한 장점들로 인해 AI 데이터센터, 소비자 가전, 태양광 인버터, 산업용 전력 시스템에 적합한 것으로 평가받고 있다.
또한 이 기술은 무게와 크기를 최소화하면서 전반적인 성능을 향상시킬 수 있어 전기차 파워트레인 분야에서도 인기가 높아지고 있다.
이노사이언스의 웨이웨이 루오 회장 겸 창업자는 "GaN 기술은 전자기기를 개선하는 데 필수적이며, 더 작고 효율적인 시스템을 만들어 전력 소비를 줄이고 비용을 절감하며 이산화탄소 배출을 감소시킨다. 이노사이언스는 8인치 GaN 기술의 대..........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................