나비타스 반도체, 800V GaN·SiC 전력반도체 개발 소식에 시간외 급등

나비타스 반도체(NASDAQ:NVTS)가 800V GaN 및 SiC 전력반도체 개발 진척 상황을 발표한 후 시간외 거래에서 주가가 급등했다.

주요 내용

나비타스는 엔비디아(NASDAQ:NVDA)가 차세대 AI 팩토리 컴퓨팅 플랫폼용으로 발표한 800V DC 전력 아키텍처를 구현하기 위한 800V GaN 및 SiC 전력반도체를 개발 중이라고 밝혔다.

기존의 기업용 및 클라우드 데이터센터는 최신 가속 컴퓨팅 플랫폼이 요구하는 멀티 메가와트급 랙 밀도를 더 이상 충족시키지 못하고 있다고 회사 측은 설명했다. 800V DC 전력 분배 시스템은 더 높은 효율성과 확장 가능한 인프라, 글로벌 분류 정렬, 단순화된 전력 분배를 제공한다.

크리스 알렉산드르 나비타스 CEO는 "산업이 메가와트급 AI 컴퓨팅 플랫폼으로 빠르게 전환됨에 따라, 더욱 효율적이고 확장 가능하며 신뢰할 수 있는 전력 공급이 절대적으로 중요해졌다"며 "기존 54V 아키텍처에서 800V DC로의 전환은 단순한 진화가 아닌 혁신적인 변화"라고 강조했다.

주가 동향

나비타스 반도체 주식은 시간외 거래에서 21.14% 상승한 13.30달러에 거래됐다.